Transistor NPN de Silicio / 100 Vce / 4 A / 130 MHz / 1.2 W / TO-92

Transistor planar de silicio NPN diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia media. Ofrece una combinación óptima de alta corriente de colector, velocidad de respuesta y eficiencia térmica en un encapsulado compacto. Su arquitectura planar garantiza estabilidad eléctrica en condiciones de operación exigentes, mientras que su amplio rango de temperatura lo hace apto para entornos industriales críticos. Ideal para fuentes de alimentación, control de motores y etapas de driver en equipos de telecomunicaciones y automatización. Características Destacadas Transistor NPN de silicio con alta densidad de corriente Voltaje colector-emisor de 100 V para aislamiento robusto Corriente continua de 4 A con picos de hasta 10 A Frecuencia de transición de 130 MHz para respuesta dinámica Disipación térmica de 1.2 W con resistencia térmica controlada Encapsulado TO-92 estándar para compatibilidad universal Especificaciones Técnicas Voltajes V CBO 200 V V CEO 100 V V EBO 6 V V CE(sat) 14 – 200 mV V BE(sat) 960 – 1100 mV Corrientes I C (continua) 4 A I C (pico) 10 A I CBO 5 – 10 nA I EBO 10 nA Frecuencia y Ganancia f T 130 MHz f test 50 MHz h FE 100 – 300 Potencia y Térmico P TOT 1.2 W R th(j-a) 150 °C/W R th(j-c) 50 °C/W T operación -55 °C a +200 °C Mecánicas Encapsulado TO-92