Transistor de Potencia MOSFET / 70W / VHF 135-175 MHz / UHF 450-530 MHz / 40V / 20A

Este transistor de potencia MOSFET está diseñado para aplicaciones de amplificación RF en bandas VHF y UHF, ofreciendo una solución robusta para sistemas de comunicación de alta potencia. Su arquitectura optimizada permite alcanzar una eficiencia del drenaje de hasta 74% en la banda de 175 MHz, reduciendo significativamente las pérdidas térmicas y mejorando la confiabilidad del sistema. La integración de un diodo de protección para la puerta simplifica el diseño del circuito driver y protege contra sobretensiones transitorias. Con capacidad de disipación de 300W y resistencia térmica de 0.5°C/W, este dispositivo soporta condiciones de operación exigentes en amplificadores de transmisión profesionales. Características Principales Potencia de salida de hasta 84W típica Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz Diodo integrado de protección para la puerta Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete Especificaciones Eléctricas Tensión Drenaje-Fuente 40V (máx.) Tensión Puerta-Fuente -5V / +10V Disipación del Canal 300W Corriente de Drenaje 20A (máx.) Temperatura de Canal 175°C Resistencia Térmica 0.5°C/W Desempeño RF Banda VHF: 135-175 MHz Potencia de Salida 84W típico Eficiencia 74% típico Potencia de Entrada 4.0W Banda UHF: 450-530 MHz Potencia de Salida 75W típico Eficiencia 64% típico Potencia de Entrada 5.5W Información de Empaque Formato Cinta y Carrete Cantidad por Carrete 500 unidades