Transistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB

Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C/W. Características Principales Transistor NPN de potencia RF en silicio Frecuencia operativa hasta 30 MHz Tensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal Corriente máxima de colector: 4.0 A Potencia de salida: 10 W Paquete TO-220AB con configuración emisor común Especificaciones Técnicas Máximos Ratings Absolutos Corriente de colector (I C ) 4.0 A Tensión colector-emisor (V CE ) 18 V Tensión colector-base (V CB ) 48 V Disipación de potencia (P D ) 10 W @ T C = 25°C Temperatura de almacenamiento (T STG ) -65°C a +150°C Temperatura de unión (T J ) -65°C a +150°C Características Térmicas Resistencia térmica unión-carcasa (θ J-C ) 12.5°C/W Características Eléctricas BV CEO @ I C = 20 mA 18 V BV CES @ I C = 50 mA 48 V BV EBO @ I E = 5.0 mA 4.0 V I CBO @ V CB = 25 V 1.0 mA h FE @ V CE = 5.0 V, I C = 500 mA 30-60 C OB @ V CB = 13.6 V, f = 1.0 MHz 125-145 pF Ganancia de potencia (G P ) 10-12 dB Eficiencia (η) @ P OUT = 12 W PEP, V CC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, I CQ = 300 mA 40% Distorsión de intermodulación (IMD) -30 dB Configuración Física Paquete TO-220AB (Common Emitter) Pin 1 Base Pin 2 Colector Pin 3 Emisor Tab (aleta de disipación) Colector