Transistor NPN de RF / 2-30 MHz / 12.5 Vcc / 12.5 W / Encapsulado 211-07

Transistor NPN de silicio diseñado específicamente para aplicaciones de radiofrecuencia en el rango de alta frecuencia (HF). Opera eficientemente en el espectro de 2 a 30 MHz con una potencia de salida de 12.5 watts, ideal para etapas de potencia en transmisores, amplificadores de RF y equipos de comunicación. Su encapsulado estándar 211-07 facilita la integración en diseños existentes y nuevos desarrollos de equipos de telecomunicaciones. Características principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia de operación: 2 a 30 MHz Potencia máxima de salida: 12.5 watts Voltaje colector-emisor: 12.5 Vcc Encapsulado estándar 211-07 para montaje simplificado Alta eficiencia en operación de radiofrecuencia Especificaciones técnicas Tipo Transistor de silicio NPN Rango de frecuencia 2 - 30 MHz Voltaje colector-emisor 12.5 Vcc Potencia de salida 12.5 W Encapsulado 211-07