Transistor NPN de Alta Frecuencia / 30-500 MHz / 28 Vcc / 10 dB / 125 W / Push-Pull

Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en el rango de 30 a 500 MHz. Integra dos transistores en configuración push-pull con emisores comunes, optimizando el rendimiento en sistemas de amplificación de RF. Ofrece una potencia de salida de 125 W a 400 MHz con ganancia de 10 dB y eficiencia del 55%, incluyendo redes de adaptación de impedancia integradas que simplifican el diseño de circuitos. Características Principales Transistor NPN de silicio para alta frecuencia Rango operativo: 30-500 MHz Tensión colector-emisor: 28 Vcc Ganancia: 10 dB con eficiencia del 55% Potencia de salida: 125 W a 400 MHz Doble transistor en encapsulado push-pull Configuración de emisores comunes Redes de adaptación de impedancia integradas Metabolización de oro VSWR 30:1 sin degradación Especificaciones Técnicas Máximos Permisibles VCEO: 30 VDC VCBO: 60 VDC VEBO: 4.0 VDC IC: 16 A DC PD: 270 W (a TC = 25°C) Derate: 1.54 W/°C TSTG: -65 a +150 °C TJ: 200 °C Características Térmicas RθJC: 0.65 °C/W Características Eléctricas HFE: 40-100 (a IC = 1.0 A DC) COB: 75-95 pF Características de Operación Ganancia: 8-10 dB Eficiencia: 50-55% VSWR: 30:1 sin degradación Impedancia: 20 Ω Configuración Dos transistores en un solo encapsulado Configuración push-pull Emisores comunes Redes de adaptación de impedancia integradas Metabolización de oro