Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD

Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie. Características principales Transistor RF tipo N de alta potencia Frecuencia máxima de operación: 520 MHz Potencia de salida: 8 W Voltaje de operación: 7.5 Vcc Ganancia de potencia: 11 dB Eficiencia en RF: 55% Diseño SMD para montaje superficial Excelente estabilidad térmica Manejo de VSWR 20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie Especificaciones técnicas Tipo de dispositivo Transistor RF FET Canal N Frecuencia máxima 520 MHz Potencia de salida 8 W Voltaje de operación 7.5 Vcc Ganancia de potencia 11 dB Eficiencia RF 55% Tipo de encapsulado SMD (montaje superficial) Manejo VSWR 20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB sobremodulación Caracterización Parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie Estabilidad Excelente estabilidad térmica Aplicaciones típicas Amplificadores de fuente común de gran señal Equipos FM portátiles de 7.5 V Aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha Sistemas de comunicación en frecuencias hasta 520 MHz