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Panel Solar Fotovoltaico / 645 W / Eficiencia 23.88% / Tecnología HPBC 2.0 / Full Black / Degradación 0.35% Anual

  • Diseño full black sin busbars visibles para integración arquitectónica premium
  • Tecnología HPBC 2.0 con contactos posteriores para máxima captación solar
  • Coeficiente de temperatura -0.26%/°C que minimiza pérdidas en climas cálidos
  • Degradación de solo 0.35% anual del año 2 al 30 para mayor retorno de inversión
  • Wafers Tairay 16% más resistentes a la flexión para mayor durabilidad estructural
  • Tolerancia de potencia 0~3% que garantiza rendimiento nominal o superior
Modelo
LR772HVB645M
Marca
LONGI
Categoría
Energía y Climatización
SAT
26111607Generadores solares

Documentación técnica

Recursos proporcionados por SYSCOM

INFORMACIÓN TÉCNICA

Especificaciones

FICHA DEL FABRICANTE

Panel solar fotovoltaico monocristalino de 645 W con tecnología HPBC 2.0 (Heterojunction Passivated Back Contact) de segunda generación. Diseño full black que elimina los busbars visibles en la superficie frontal, logrando una estética uniforme orientada a integraciones arquitectónicas premium en instalaciones residenciales y comerciales. La arquitectura back contact ubica todos los contactos eléctricos en la parte posterior de la celda, reduciendo la sombra frontal y maximizando la captación de irradiancia. Eficiencia del módulo del 23.88% con coeficiente de temperatura de -0.26%/°C, optimizado para operación…

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Panel solar fotovoltaico monocristalino de 645 W con tecnología HPBC 2.0 (Heterojunction Passivated Back Contact) de segunda generación. Diseño full black que elimina los busbars visibles en la superficie frontal, logrando una estética uniforme orientada a integraciones arquitectónicas premium en instalaciones residenciales y comerciales. La arquitectura back contact ubica todos los contactos eléctricos en la parte posterior de la celda, reduciendo la sombra frontal y maximizando la captación de irradiancia. Eficiencia del módulo del 23.88% con coeficiente de temperatura de -0.26%/°C, optimizado para operación en climas cálidos. Degradación garantizada de 0.35% anual desde el año 2 hasta el año 30. Wafers Tairay con resistencia a la flexión 16% superior al estándar convencional. Características Generales Potencia máxima: 645 W con tolerancia 0~3% Eficiencia del módulo: 23.88% Tecnología: HPBC 2.0 (Heterojunction Passivated Back Contact) Diseño: Full black, sin busbars visibles Tipo de celda: Monocristalino Coeficiente de temperatura de potencia: -0.26%/°C Degradación anual: 0.35% (año 2 al 30) Wafers Tairay: 16% más resistentes a la flexión Desempeño Eléctrico Potencia máxima: 645 W Tolerancia de potencia: 0~3% Eficiencia del módulo: 23.88% Coeficiente de temperatura de potencia: -0.26%/°C Degradación anual: 0.35% (año 2 al 30) Tecnología y Materiales Tecnología celular: HPBC 2.0 Arquitectura: Back contact (contactos posteriores) Tipo de celda: Monocristalino Diseño superficial: Full black Wafers: Tairay (16% más resistentes a flexión) Aplicaciones y Ventajas Integración arquitectónica premium Estética uniforme sin busbars visibles Máxima captación solar por ausencia de sombra frontal Optimizado para climas cálidos Mayor durabilidad estructural del wafer

Características principales

  • Diseño full black sin busbars visibles para integración arquitectónica premium
  • Tecnología HPBC 2.0 con contactos posteriores para máxima captación solar
  • Coeficiente de temperatura -0.26%/°C que minimiza pérdidas en climas cálidos
  • Degradación de solo 0.35% anual del año 2 al 30 para mayor retorno de inversión
  • Wafers Tairay 16% más resistentes a la flexión para mayor durabilidad estructural
  • Tolerancia de potencia 0~3% que garantiza rendimiento nominal o superior

Disponibilidad por almacén

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