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Transistor MOSFET / 60 V / 35 A / 220 AB / Alta Eficiencia / Baja Resistencia ON

  • Tecnología avanzada para máxima eficiencia energética
  • Resistencia ON reducida minimiza pérdidas térmicas
  • Disipación térmica optimizada para operación continua
  • Diseñado para aplicaciones de alta potencia
  • Corriente de drenaje de 220 A para picos de demanda
  • Construcción robusta para entornos industriales exigentes
Modelo
IRFZ44PBF-ND
Marca
SYSCOM PARTS
Categoría
Radiocomunicación
SAT
32111600Transistores

3 años de garantía reportada

Documentación técnica

Recursos proporcionados por SYSCOM

INFORMACIÓN TÉCNICA

Especificaciones

FICHA DEL FABRICANTE

Transistor MOSFET de Potencia 60 V / 35 A Este transistor MOSFET está diseñado para aplicaciones que demandan control eficiente de alta corriente en entornos de 60 V. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de 35 A y picos de hasta 220 A, ofrece el rendimiento necesario para fuentes de alimentación, inversores, controladores de motores y sistemas de conmutación de potencia. Su arquitectura de baja resistencia en estado ON reduce significativamente las pérdidas por conducción, mientras que su diseño térmico optimizado permite operación sostenida sin degradación de rendimiento. Características…

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Transistor MOSFET de Potencia 60 V / 35 A Este transistor MOSFET está diseñado para aplicaciones que demandan control eficiente de alta corriente en entornos de 60 V. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de 35 A y picos de hasta 220 A, ofrece el rendimiento necesario para fuentes de alimentación, inversores, controladores de motores y sistemas de conmutación de potencia. Su arquitectura de baja resistencia en estado ON reduce significativamente las pérdidas por conducción, mientras que su diseño térmico optimizado permite operación sostenida sin degradación de rendimiento. Características Principales Tecnología de proceso avanzada para máxima eficiencia de conmutación Baja resistencia R DS(ON) que minimiza pérdidas energéticas y calor generado Disipación térmica optimizada para operación continua en cargas elevadas Corriente de drenaje pulsada de 220 A para manejo de picos de demanda Ideal para fuentes conmutadas, inversores, drivers de motor y sistemas de potencia Encapsulado robusto para montaje en aplicaciones industriales Especificaciones Técnicas Tipo de Dispositivo MOSFET Canal N Voltaje Drenaje-Source (V DSS ) 60 V Corriente Continua (I D ) 35 A Corriente Pulsada (I DM ) 220 A Encapsulado TO-220AB Resistencia R DS(ON) Baja (optimizada) Tecnología Proceso avanzado de alta eficiencia Aplicaciones Típicas Potencia, conmutación, control de motor Nota para ingenieros: Verificar las curvas de disipación térmica según el diseño del disipador en la aplicación final. La resistencia térmica juntura-ambiente depende del método de montaje y refrigeración implementado.

Características principales

  • Tecnología avanzada para máxima eficiencia energética
  • Resistencia ON reducida minimiza pérdidas térmicas
  • Disipación térmica optimizada para operación continua
  • Diseñado para aplicaciones de alta potencia
  • Corriente de drenaje de 220 A para picos de demanda
  • Construcción robusta para entornos industriales exigentes

Disponibilidad por almacén

Existencia reportada por SYSCOM

AlmacénPiezas
Leon20
Chihuahua200+

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