Memoria microSDXC / 64 GB / Lectura 180 MB/s / Escritura 150 MB/s / V30 U3 A2 / Resistencia -25°C a 85°C (-13°F a 185°F)
- Velocidad de escritura 150 MB/s para grabación 4K sin pérdida de frames
- Rango térmico -25°C a 85°C para operación en condiciones extremas
- NAND TLC con wear leveling avanzado para mayor vida útil
- Resistencia a agua, golpes, rayos X y campos magnéticos
- Clase A2 para ejecución fluida de aplicaciones móviles
- Lectura 180 MB/s para transferencia rápida de archivos de video
- Modelo
- HS-TF-E3/64G
- Marca
- HIKSEMI by HIKVISION
- Categoría
- Redes e IT
- SAT
- 43202005Tarjeta flash de almacenamiento de memoria
7 años de garantía reportada
Documentación técnica
Recursos proporcionados por SYSCOM
Especificaciones
Memoria microSDXC de 64 GB diseñada para aplicaciones de captura de video en alta resolución en drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, garantizando la integridad de la grabación 4K sin interrupciones ni pérdida de frames. Cumple con los estándares de rendimiento V30, U3 y A2, lo que asegura no solo la captura de video fluida sino también la ejecución eficiente de aplicaciones. Su construcción con memoria NAND TLC incorpora tecnología de wear leveling avanzada para optimizar la durabilidad del almacenamiento. Opera en un rango térmico de -25°C a…
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Memoria microSDXC de 64 GB diseñada para aplicaciones de captura de video en alta resolución en drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, garantizando la integridad de la grabación 4K sin interrupciones ni pérdida de frames. Cumple con los estándares de rendimiento V30, U3 y A2, lo que asegura no solo la captura de video fluida sino también la ejecución eficiente de aplicaciones. Su construcción con memoria NAND TLC incorpora tecnología de wear leveling avanzada para optimizar la durabilidad del almacenamiento. Opera en un rango térmico de -25°C a 85°C y resiste condiciones adversas incluyendo agua, impactos, vibraciones, rayos X y exposición a campos magnéticos. Características Generales • Capacidad: 64 GB • Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s • Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s • Clase de velocidad: V30, U3, A2, Clase 10 • Tipo de memoria: NAND TLC • Tecnología de gestión: Wear leveling avanzado • Rango de temperatura operativa: -25°C a 85°C (-13°F a 185°F) • Resistencia: Agua, golpes, vibraciones, rayos X, magnetismo • Aplicación recomendada: Drones y cámaras de acción Desempeño Capacidad: 64 GB Lectura secuencial: 180 MB/s Escritura secuencial: 150 MB/s Clase de velocidad: V30 Clase UHS: U3 Clase de aplicación: A2 Clase de bus: Clase 10 Tipo de memoria: NAND TLC Físicas y Ambientales Temperatura operativa: -25°C a 85°C (-13°F a 185°F) Resistencia al agua: Sí Resistencia a golpes: Sí Resistencia a vibraciones: Sí Resistencia a rayos X: Sí Resistencia a magnetismo: Sí Contenido del Paquete Memoria microSDXC HIKSEMI CAPTURE E3 64 GB
Características principales
- Velocidad de escritura 150 MB/s para grabación 4K sin pérdida de frames
- Rango térmico -25°C a 85°C para operación en condiciones extremas
- NAND TLC con wear leveling avanzado para mayor vida útil
- Resistencia a agua, golpes, rayos X y campos magnéticos
- Clase A2 para ejecución fluida de aplicaciones móviles
- Lectura 180 MB/s para transferencia rápida de archivos de video
Disponibilidad por almacén
Existencia reportada por SYSCOM
| Almacén | Piezas |
|---|---|
| Queretaro | 1 |
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