Memoria microSDXC / 512 GB / Lectura 180 MB/s / Escritura 150 MB/s / V30 U3 A2 / Resistencia -25°C a 85°C

Memoria microSDXC de 512 GB diseñada para aplicaciones de captura de alta intensidad como drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, con clasificación V30 U3 A2 que asegura la grabación continua de video 4K sin frames congelados ni interrupciones. La arquitectura NAND TLC incorpora wear leveling avanzado para distribuir el desgaste de escritura de manera uniforme, extendiendo la vida útil del dispositivo. Opera en un rango térmico de -25°C a 85°C y cuenta con resistencia certificada a agua, impactos, vibraciones, rayos X y campos magnéticos, garantizando la integridad de los datos en entornos hostiles. Características Generales Capacidad: 512 GB Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s Clase de velocidad: V30, U3, A2, Clase 10 Tipo de memoria: NAND TLC Wear leveling avanzado Rango de temperatura operativa: -25°C a 85°C Resistencia: agua, golpes, vibraciones, rayos X, magnetismo, electricidad estática Desempeño Capacidad: 512 GB Lectura secuencial: 180 MB/s Escritura secuencial: 150 MB/s Clase V30 Clase U3 Clase A2 Clase 10 Memoria NAND TLC Wear leveling avanzado Físicas y Ambientales Temperatura operativa: -25°C a 85°C Resistencia al agua Resistencia a golpes e impactos Resistencia a vibraciones Resistencia a rayos X Resistencia al magnetismo Resistencia a electricidad estática Contenido del Paquete Memoria microSDXC HIKSEMI CAPTURE E3 512 GB