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Memoria SDXC / 512 GB / Lectura 180 MB/s / Escritura 150 MB/s / V30 U3 Clase 10 / Rango -25°C a 80°C

  • Grabación 4K continua sin interrupciones ni cambio de tarjeta
  • Velocidad de escritura 150 MB/s para video de alta resolución sin frames perdidos
  • Operación estable de -25°C a 80°C para condiciones extremas de clima
  • Resistencia a impactos, vibración, rayos X y campos magnéticos
  • NAND TLC con wear leveling avanzado para mayor vida útil
  • Transferencia rápida 180 MB/s para flujo de trabajo post-producción eficiente
Modelo
HS-SD-E30/512G
Marca
HIKSEMI by HIKVISION
Categoría
Redes e IT
SAT
43202005Tarjeta flash de almacenamiento de memoria

7 años de garantía reportada

Documentación técnica

Recursos proporcionados por SYSCOM

INFORMACIÓN TÉCNICA

Especificaciones

FICHA DEL FABRICANTE

Memoria SDXC de 512 GB diseñada para aplicaciones de captura de video en movimiento como drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades secuenciales de lectura de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, cumpliendo con los estándares V30, U3 y Clase 10 para garantizar la grabación continua de video 4K sin caídas de frames. Construida con memoria NAND TLC e incorpora algoritmos de wear leveling avanzados que distribuyen el desgaste de escritura de manera uniforme, extendiendo la vida útil del dispositivo. Su rango de operación térmica de -25°C a 80°C permite su uso en entornos de alta exigencia climática, mientras que…

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Memoria SDXC de 512 GB diseñada para aplicaciones de captura de video en movimiento como drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades secuenciales de lectura de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, cumpliendo con los estándares V30, U3 y Clase 10 para garantizar la grabación continua de video 4K sin caídas de frames. Construida con memoria NAND TLC e incorpora algoritmos de wear leveling avanzados que distribuyen el desgaste de escritura de manera uniforme, extendiendo la vida útil del dispositivo. Su rango de operación térmica de -25°C a 80°C permite su uso en entornos de alta exigencia climática, mientras que su diseño resiste impactos mecánicos, vibraciones, exposición a rayos X y campos magnéticos, asegurando la integridad de los datos en condiciones adversas. Características Generales • Capacidad: 512 GB • Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s • Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s • Clase de velocidad: V30, U3, Clase 10 • Tipo de memoria: NAND TLC • Wear leveling avanzado • Rango de temperatura de operación: -25°C a 80°C • Resistencia a impactos, vibración, rayos X y magnetismo • Formato: SDXC Desempeño Capacidad: 512 GB Lectura secuencial: 180 MB/s Escritura secuencial: 150 MB/s Clase de velocidad: V30 Clase UHS: U3 Clase de aplicación: Clase 10 Formato: SDXC Físicas y Ambientales Tipo de memoria: NAND TLC Wear leveling avanzado Temperatura operación: -25°C a 80°C Resistencia a impactos Resistencia a vibración Resistencia a rayos X Resistencia a magnetismo Contenido del Paquete Memoria SDXC HIKSEMI CAPTURE E30 512 GB Adaptador SD (según configuración de producto)

Características principales

  • Grabación 4K continua sin interrupciones ni cambio de tarjeta
  • Velocidad de escritura 150 MB/s para video de alta resolución sin frames perdidos
  • Operación estable de -25°C a 80°C para condiciones extremas de clima
  • Resistencia a impactos, vibración, rayos X y campos magnéticos
  • NAND TLC con wear leveling avanzado para mayor vida útil
  • Transferencia rápida 180 MB/s para flujo de trabajo post-producción eficiente

Disponibilidad por almacén

Existencia reportada por SYSCOM

AlmacénPiezas
Tepotzotlan98

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HS-SD-E30/512GPrecio por confirmar
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