Transistor de Potencia MOSFET / 70 W / 470 MHz / 11.5 dB / 12.5 VDC / TO-272-8

Este transistor de potencia MOSFET de canal N lateral está diseñado para aplicaciones de RF en equipos de comunicación móvil FM, amplificadores de señal RF, y sistemas industriales y comerciales. Ofrece una potencia de salida de 70 W a 470 MHz con una ganancia de 11.5 dB, operando eficientemente con una tensión de alimentación de 12.5 VDC. Su arquitectura garantiza estabilidad térmica excelente y tolerancia excepcional ante desajustes de impedancia, soportando relaciones VSWR de hasta 20:1 sin degradación. Características Principales Tecnología MOSFET de canal N lateral Potencia de salida: 70 W a 470 MHz Eficiencia: 60% con VDD de 12.5 VDC Ganancia: 11.5 dB en banda 135-520 MHz Capacidad VSWR: 20:1 para alta robustez Paquete plástico TO-272-8 resistente a 200°C Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo) Estabilidad térmica excelente Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm / 1.73 pulgadas) Especificaciones Técnicas Tecnología MOSFET canal N lateral Frecuencia máxima 470 MHz Potencia de salida 70 W Tensión de alimentación 12.5 VDC Ganancia 11.5 dB (135-520 MHz) Eficiencia 60% Capacidad VSWR 20:1 Paquete TO-272-8 plástico Temperatura máxima 200°C Empaque Cinta y carrete (500 uds / 44 mm) Aplicaciones Equipos de comunicación móvil FM Amplificadores de señal RF Equipos industriales y comerciales Sistemas de radiofrecuencia Características de Diseño Estabilidad térmica excelente Parámetros de impedancia equivalente en serie disponibles Información del amplificador de demostración disponible