Transistor Bipolar NPN / 160 MHz / 13.6 Vcc / 40 Watt / VHF

Transistor bipolar NPN diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en banda VHF, optimizado para operación a 160 MHz con potencia de salida de 40 W. Su configuración de emisor común y alimentación a 13.6 Vcc lo hacen ideal para sistemas de comunicaciones profesionales. El diseño térmico eficiente permite manejar disipaciones de hasta 70 W manteniendo estabilidad en condiciones exigentes. La impedancia de entrada caracterizada (1.0 + j0.4 a 160 MHz) facilita el acoplamiento con etapas driver en diseños de amplificadores RF. Características Principales Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz Potencia de salida de 40 W con 5 W de excitación Operación estable a 13.6 Vcc Diseño compacto con eficiencia térmica optimizada Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas Impedancia Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz Especificaciones Técnicas Básicas Tipo Transistor bipolar NPN Frecuencia 160 MHz Tensión alimentación 13.6 Vcc Configuración Emisor común Aplicación Comunicaciones VHF Límites Máximos V CBO 36 V V CEO 16 V V CES 36 V V EBO 4.0 V I C 8.0 A P DISS 70 W T J +200 °C T STG -65 a +150 °C Dinámicas P OUT 40 W (f=160 MHz, P IN =5.0 W, V CE =13.6 V) G P 9 dB (f=160 MHz, P IN =5.0 W, V CE =13.6 V) C OB 95 pF (f=1 MHz, V CB =15 V) Estáticas BV CES 36 V (I C =15 mA, V BE =0 mA) BV CEO 16 V (I C =50 mA, I B =...)