MOSFET de potencia / Canal N / 50 A / 60 V / TO-220AB / Proceso MegaFET

Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI para ofrecer una utilización óptima del silicio y un rendimiento excepcional. Estos transistores están diseñados para su uso en reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Su capacidad de operación directa desde circuitos integrados simplifica el diseño de circuitos y reduce la complejidad del sistema. Características principales Tecnología MegaFET para rendimiento superior Optimización del silicio con proceso similar a LSI Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación Compatible con controladores de motores y relés Operación directa desde circuitos integrados Encapsulado TO-220AB estándar de la industria Especificaciones técnicas Tipo de canal N Corriente de drenaje 50 A Voltaje drenaje-fuente 60 V Encapsulado TO-220AB Tecnología de fabricación MegaFET / Proceso LSI Aplicaciones típicas Reguladores de conmutación (SMPS) Convertidores DC-DC Controladores de motores Controladores de relés Circuitos de conmutación de potencia