Transistor NPN Epitaxial de Silicio / 27 MHz / 12 Vcc / 13 W / Encapsulado T-30E

Transistor NPN epitaxial de silicio diseñado para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Ofrece alta eficiencia energética con operación estable hasta 27 MHz, ideal para equipos de comunicación y transmisores. Su encapsulado T-30E garantiza disipación térmica optimizada, permitiendo manejar 13 watts de potencia de salida de forma confiable. Es compatible como reemplazo directo del modelo 2SC1945, facilitando mantenimiento y actualización de equipos existentes. Características principales Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente Frecuencia de operación hasta 27 MHz Soporta voltaje máximo de 12 Vcc Potencia de salida de 13 watts Reemplazo directo para modelo 2SC1945 Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada Especificaciones técnicas Tipo NPN Epitaxial de Silicio Frecuencia máxima 27 MHz Voltaje máximo 12 Vcc Potencia de salida 13 W Encapsulado T-30E Compatibilidad Reemplazo 2SC1945